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Infineon Technologies FF800R17KF6CB2NOSA1
| Artikelnummer: | FF800R17KF6CB2NOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE 1700V 6250W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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-
Infineon Technologies FF800R17KF6CB2NOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FF800R17KF6CB2NOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 800A Supplier Device-Gehäuse Module Serie IHM-A Leistung - max 6250 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 52 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 1.5 mA Konfiguration 2 Independent Grundproduktnummer FF800R17 FF800R17KF6CB2NOSA1 Einzelheiten PDF [English] FF800R17KF6CB2NOSA1 PDF - EN.pdf -
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